一年一度的全球电子成就奖评选（World Electronics Achievement Awards) 正在火热进行中，该奖项旨在评选并表彰为推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和个人。今年，Nexperia（安世半导体）的CCPAK封装GaN FET与碳化硅MOSFET两款明星产品现已双双入围 年度功率半导体 ！
投票方法 线上投票已开启，即日起至9月10日，欢迎广大工程师朋友们长按识别二维码进入投票页面，为我们投出您宝贵的一票！ Nexperia 入围产品 针对工业和可再生能源应用的 CCPAK封装GaN FET 关键技术 在高质量、坚固耐用的SMD封装领域深耕20年，我们将其应用于氮化镓场效应管（GaN FET），采用成熟的技术，以真正创新的封装提供业界领先的性能。CCPAK的铜夹片级联配置优化了电气和热性能，提高了器件的可靠性，同时可以减少寄生损耗。提供顶部(CCPAK1212i)或底部(CCPAK1212)散热配置支持设计。 产品优势 GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用CCPAK1212i顶部散热封装技术，这项技术为太阳能和家用热泵等可再生能源应用带来诸多优势，进一步加强了Nexperia为可持续应用开发前沿器件技术的承诺。该技术还适用于广泛的工业应用，如伺服驱动器、开关模式电源(SMPS)、服务器和电信应用。 GAN039-650NTB的级联配置使其能够提供出色的开关和导通性能，此外其稳健可靠的栅极结构可提供较高的噪声容限。这一特性还有益于简化应用设计，无需复杂的栅极驱动器和控制电路，只需使用标准硅MOSFET驱动器即可轻松驱动这些器件。Nexperia的GaN技术提高了开关稳定性，并有助于将裸片尺寸缩小约24%。此外，器件的RDS(on)在25℃时仅为33 mΩ（典型值），同时其具有较高的门极阈值电压和较低的等效体二极管导通压降。 应用场景 工业 4.0 ▶ 伺服电机驱动器/变频器 ▶ 电信电源 ▶ D 类音频放大器 ▶ 焊接机 实现二氧化碳净零排放 ▶ 太阳能（光伏）逆变器 ▶ 服务器钛级电源 ▶ 电池存储/ UPS 逆变器 ▶ 热泵 1200 V, 30 mΩ, N沟道, 碳化硅(SiC) MOSFET - NSF030120D7A0 关键技术 碳化硅 产品优势 NSF030120D7A0 是一款基于碳化硅的 1200 V 功率 MOSFET，采用成熟的 7 引脚 TO-263 塑料封装，适用于表面贴装 PCB 技术。出色的 RDSon 温度稳定性与高开关速度相结合，使其成为高功率和高压工业应用（如电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动器）的首选产品。 RDS(on)会影响传导功率损耗，是SiC MOSFET的关键性能参数。但是通过创新工艺技术，Nexperia 的首款SiC MOSFET实现了业界领先的温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDS(on)的标称值仅增加38%。这与市场上其他许多目前可用的 SiC 器件不同。 Nexperia SiC MOSFET的VGS(th)阈值电压器件间分布差异极低，这使得器件并联工作时，在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。 应用场景 ▶ 电动汽车充电基础设施 ▶ 光伏逆变器 ▶ 开关电源 ▶ 不间断电源 ▶ 电机驱动
