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碳化硅衬底
    发布时间: 2025-04-29 16:52    

6、8英寸SiC导电型衬底产品,根据品质分级分类,非标尺寸可定制;适用于肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件制造。

6英寸产品级衬底:

(以下为部分产品参数,具体各级别产品详细参数请与我司取得联系。)


晶形4H
直径(mm)150±0.2
偏角
厚度350mm±20μm
表面状态Epi-ready

电阻率

0.015-0.025 Ω·cm
EPD<2500个/cm2
包装方式多片Cassette盒


8英寸产品级衬底:

(以下为部分产品参数,具体各级别产品详细参数请与我司取得联系。)


晶形4H
直径(mm)150±0.2
偏角
厚度350mm±20μm/500mm±20μm
表面状态Epi-ready

电阻率

0.015-0.025 Ω·cm
EPD<3000个/cm2
包装方式多片Cassette盒


晶越8英寸衬底位错缺陷mapping展示